high k metal gate原理
這類金屬閘極和高介電常數的絕緣氧化物都是多元素交錯沉積的層狀結構,其中每層材料的厚度極薄,通常都在1-2nm以下,因此在層狀厚度、介面平整度和成份 ...,2022年1月21日—...high-k/metalgate),介電層的k值愈大,氧化層電容(Cox)愈大,電晶體電流愈大,且可在...
Why PolySi → HKMG
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2023年6月11日—閘極氧化層SiO2dryoxide換成High-K,Polygate換成metalgate。涉及材料學的特性,因為High-K都是金屬氧化物(如HfO2),所以跟金屬的接面特性比較好 ...
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